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产品应用

MOCVD道理:

MOCVD是以III组、II族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行,衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。


MOCVD的特点:

- 适用于位置普遍,近乎需要发芽整个有机化合物及各种合金半导体芯片; - 极为最合适于种子发芽几种异质结构的的材料; - 能出现超轻薄概念层,并能获得了很陡的用户界面分层; - 植物的生长方便把控; - 就可以发育溶解度很高的用料; - 概念层大绿地面积平滑性不错; - 还可以进行大企业规模生产的。
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